从产品创新到产业整合，长晶科技夯实功率半导体领航地位

在功率半导体领域，技术创新是衡量企业竞争力的核心标尺。长晶科技近年来在这一领域持续深耕，尤其在SGT MOSFET与IGBT两大关键产品线上取得了显著突破。公司推出的60V至150V SGT MOSFET系列产品，通过在栅极周围增加屏蔽层的先进设计，有效降低了导通电阻与开关损耗。该系列产品的性能参数已达到国际一线品牌水准，成功填补了国内高端功率器件的技术空白，打破了国外品牌的长期主导地位。这一成果在电动工具、无人机等对能效要求严苛的市场中获得了广泛应用。

与此同时，面对新能源汽车与光伏储能市场的爆发式需求，长晶科技在IGBT领域推出了FST3.0产品。该产品采用微沟槽栅与场终止技术，显著提升了载流子密度，降低了通态与开关损耗，其技术水准被认为已接近国际第七代IGBT水平。目前，该系列产品已成功进入电动汽车充电桩市场，并与多家Tier 1、Tier 2级整车厂建立了长期合作关系。在光伏储能领域，长晶科技的IGBT产品作为提升系统效率的关键器件，正有效助力光伏电站降低能量损耗、提升发电效率。

完善产品矩阵，以多元布局覆盖全场景需求

基于核心技术的突破，长晶科技已构建起品类丰富的产品矩阵，能够满足消费级、工业级和车规级的不同标准。公司产品线横跨二极管、三极管、MOSFET、IGBT单管及模块，并延伸至第三代半导体以及电源管理IC如LDO、DC-DC、锂电保护芯片等。这种全面且多元的产品结构，使其能够支持客户的一站式采购需求，为不同领域的客户提供定制化解决方案。

在2025年，长晶科技的产品迭代步伐进一步加快。四月，公司发布了第三代650V及1200V IGBT模块产品，同时实现了30V至100V系列DC-DC产品的全面量产。六月，全新一代36V及50V系列LDO产品也进入量产阶段。八月，公司再度发布第三代1700V IGBT产品平台，进一步拓宽了高压功率器件的应用边界。十一月，第二代85V及150V SGT产品平台正式亮相，标志着其在低压功率器件领域的持续精进。截至2025年底，公司车规功率MOSFET产品累计量产超过100款，逻辑IC产品累计量产达400款，充分体现了其在车规及通用IC领域的深厚积累。

质量体系与产业链整合，构建坚实竞争壁垒

技术成果的落地离不开高质量的生产制造体系。长晶科技近期成功通过IATF 16949汽车质量认证，这一认证不仅是对其质量管理体系的肯定，也为其在竞争激烈的全球汽车半导体市场中的拓展打下了坚实基础。此外，公司在2025年十月成功通过工信部专精特新小巨人企业复审，并荣获“中国汽车芯片优秀供应商”称号，进一步证明了其在细分领域的专业性与市场认可度。

为了实现对产品品质与成本的精準把控，长晶科技并未止步于芯片设计。公司通过产业并购与战略转型，从初期的Fabless模式逐步转向Fabless与IDM并行的双模式。通过收购和自建，公司补齐了晶圆研发与制造的产业环节，构建了从芯片设计、制造到封装测试的全产业链布局。这种全链条自主可控的产业模式，使其能够更快速地响应市场变化，精准控制生产成本，从而在激烈的市场竞争中保持敏捷与高效。

面向未来，长晶科技在持续拓宽产品线的同时，也在资本层面积极布局。凭借连续六年荣获“中国半导体行业功率器件十强企业”的行业积淀，以及在汽车芯片领域的突出贡献，长晶科技正稳步向着实现功率半导体领域关键核心技术自主可控的目标迈进。

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