筑牢算力能源底座，安世中国助力AI基础设施自主可控与绿色升级

算力基础设施迈向高压高效，供配电自主可控成关键命题

在AI算力需求快速增长与国家算力基础设施自主可控战略交汇的关键节点，供配电系统正成为算力设备的“心脏”。随着AI服务器单机柜功率从几十千瓦迈向100kW至1MW，供电架构从传统12V、48V向800V高压直流持续演进，核心半导体器件的国产化、高可靠与绿色高效，已成为产业升级的重要命题。

国家发展改革委、国家能源局、工业和信息化部、国家数据局联合印发《关于促进人工智能与能源双向赋能的行动方案》，明确要求持续提升算力设施绿电占比，加强算力设施项目布局规划指导。政策驱动下，AI服务器供配电系统的高效化、高压化、自主化需求日益迫切。安世中国作为行业领先的基础半导体与分立功率器件厂商，致力于成为“AIDC半导体能源基座领导者”，在AI服务器供配电领域构建了从控制器、栅极驱动、逻辑器件到功率MOSFET、SiC模块、IGBT及小信号二三极管的完整产品矩阵，覆盖PSU、UPS、储能BMS、SST固态变压器及服务器供电等关键场景。

全链路产品矩阵，筑牢AIDC能源底座

面向AI供配电的高压化、高效率、高功率密度、高可靠性四大挑战，安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，基于12英寸工艺平台，采用BONA有源区键合结构，实现器件内部更紧密连接，并具备行业标准3倍的晶圆级可靠性裕量，TDDB、HCI、EM、HTRB等全项可靠性测试通过。逻辑器件、功率MOSFET、IGBT及小信号器件具备国产供应链交付能力，为算力基础设施供应链安全提供坚实支撑。

在ICS BG领域，安世中国逻辑器件覆盖UPS、储能BMS、SST及服务器供电。在Power BG领域，六款主推MOSFET覆盖25V至80V，适用于PSU次级同步整流和OR-ing；SiC模块覆盖SST固态变压器整流、隔离、输出三级架构；IGBT提供650V和1200V两大电压等级，覆盖UPS等高压大电流场景。在BIP BG领域，PMEG肖特基、PTVS TVS、BZT稳压管、PESD ESD、BC三极管、BAS开关二极管等形成完整小信号器件生态。

 绿色低碳与12英寸工艺，助力双碳与供应链安全

在“双碳”目标引领下，数据中心能效要求日趋严格。安世中国PMEG肖特基二极管导通压降低至0.25V，比传统硅二极管损耗低30%至40%，可助力PSU达到97.5%钛金效率；逻辑器件与功率器件协同优化，帮助供电系统降低损耗、提升能效。12英寸工艺平台在成本、参数、可靠性和质量稳定性方面具备综合优势，有助于推动供配电半导体器件的规模化国产供应。

当前全球半导体供应链波动加剧，AI服务器供配电核心器件国产化需求迫切。安世中国通过“本土研发+深度国产供应链”战略，在控制器、驱动、功率器件等关键环节实现了技术突破和稳定交付。从年销量超8500万颗的PSU功率MOSFET，到覆盖多场景的逻辑与小信号器件，安世中国正以扎实的产品性能和稳定的供应体系，为我国算力基础设施的供应链安全与高质量发展贡献核心价值。

面向800V未来，SiC与IGBT储备下一代高压能力

面向AI服务器向更高功率密度和800V高压架构演进的趋势，安世中国已提前布局SiC模块与IGBT产品线。SiC模块包括NT06T12Y2M1、NT04T12Y2M1、NT06T23Y2M1，均为1200V耐压，采用Easy2B模块，覆盖SST固态变压器整流、隔离、输出三级架构。IGBT覆盖650V和1200V两大电压等级，多种电流规格，封装覆盖TO-247-3、TO-247-4HC、TO-247-4HC-Plus，致力于为全球客户提供高质量高可靠性的产品。

从边缘AI到兆瓦级AI工厂，安世中国以完整产品矩阵和国产供应链能力，助力我国算力基础设施实现自主可控、绿色高效与高质量发展。

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