长晶科技以技术研发铸魂，拓宽功率半导体多元应用赛道

从日常消费电子到高端工业设备，从快速发展的新能源汽车到潜力巨大的光伏储能领域，功率半导体都是实现电能高效转换与控制的核心器件。在这一关键细分领域，江苏长晶科技股份有限公司稳步崛起，短短数年间，不仅实现了从无到有、从小到大的跨越式发展，更在部分细分领域逐步跻身前沿，与国际巨头同台竞技。

自2018年成立以来，长晶科技便确立了“打造世界一流的半导体品牌”的发展目标。创业初期，公司以Fabless模式起步，聚焦半导体设计核心业务，依托高素质、专业化的研发团队，在技术攻坚的道路上稳步前行。在二极管、三极管等传统分立器件领域，长晶科技持续深耕、精益求精，逐步积累起深厚的技术底蕴，为后续的规模化发展与产品升级奠定了坚实基础。

产品迭代升级，构建多元化功率半导体产品矩阵

产品布局上，长晶科技采取“稳基础、攻高端”的策略，先在传统二极管、三极管等成熟产品领域站稳脚跟，积累市场经验与资金实力，同时集中优质研发资源，重点攻关MOSFET、IGBT等中高端功率器件。如今长晶科技已跻身国内产品线较全的功率半导体企业行列。其中，公司在SGT MOSFET、CSP MOSFET等新型功率器件领域的技术突破尤为突出，部分产品性能已接近国际主流水平，成功切入工业控制和汽车电子等高端应用领域。

核心技术突破，打破高端领域技术壁垒

在众多技术成果中，长晶科技在IGBT领域的突破颇具代表性。IGBT作为电力转换的核心元件，广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网等关键领域，其性能直接关系到整个系统的能效与可靠性。长晶科技推出的第二代IGBT模块系列产品，采用创新的微沟槽栅+场终止技术，有效提升了电流承载能力，同时降低了产品能耗。这一技术成果让相关产品获得了市场的广泛认可，尤其在变频伺服、电力电子及工业电源等高端应用领域，逐步打破了国际厂商的技术垄断，实现了规模化量产。

（晶圆级封装MOSFET）

除IGBT外，长晶科技在MOSFET产品线上也持续发力。通过不断优化产品性能、降低关键技术指标，实现多功率覆盖与多种结构设计，其MOSFET产品赢得了市场的高度认可，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等多个主流领域。

产业链整合赋能，构建全链条发展优势

始终以实现半导体关键核心技术自主可控为导向，长晶科技积极推进产业链整合布局。2020年，公司投资成立长晶浦联，组建自主封装产线，成功实现从单纯半导体设计向封装领域的延伸，有效提升了生产能力，为产品快速迭代与市场快速响应提供了有力支撑。2022年，长晶科技进一步发力，收购新顺微，整合5英寸、6英寸晶圆制造平台，补齐了分立器件晶圆制造环节的短板，长晶科技成功转型为Fabless与IDM模式并行的综合型半导体企业，构建起从芯片设计、制造到封装测试的全产业链布局，核心竞争力大幅提升。

荣誉加持前行，彰显企业综合实力

多年来的深耕细作与技术创新，让长晶科技收获了诸多行业认可与荣誉，连续多年荣获“中国半导体行业功率器件十强企业”称号，先后被评为国家专精特新“小巨人”企业、江苏省工程技术研发中心、南京市“百强高新技术企业”、南京制造业企业100强等。这些荣誉既是对长晶科技技术创新能力与产品质量的肯定，也进一步提升了公司的品牌影响力与市场竞争力。依托强大的自主创新能力与清晰的市场导向，长晶科技正稳步向世界级半导体企业迈进，未来有望为中国半导体产业的崛起贡献更多力量。

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